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据了解，三星存储业务的高级管理人员最近在一个电子工程师协会的夏季会议上宣布，到2030年，V-NAND能够叠加到1000多层。三星预测，V-NAND的竞争将持续到1000层以上。三星从2013年开始推出24层的V-NAND，十年来已经发展到200多层。 值得一提的是，三星最初推出的V-NAND每个die的容量有128Gb（16GB），通过3D堆叠技术可以实现最多24层die堆叠，也就是说，24层堆叠的总容量将达到384GB。 三星的高管表示，正因为有V-NAND的存在，才使得NAND的历史能够得以延续，这是韩国国家创造技术和生态系统的成功事例之一。他们还认为，要推动1000层的NAND技术，就像建设摩天大楼一样，需要考虑坍塌、弯曲、断裂等多方面的稳定性问题，同时还需要克服连接孔加工工艺、最小化电池干扰、缩短层高以及扩大每层存储容量等挑战。
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